技術(shù)編號：6581345
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明屬于存儲器領(lǐng)域，尤其涉及一種NAND閃存及其數(shù)據(jù)的校驗方法和裝置。 背景技術(shù)由于NAND閃存的工藝不能保證NAND閃存內(nèi)的存儲排列(MemoryArray)在其生命 周期中保持性能的可靠性，因此，在NAN型閃存的生產(chǎn)和使用過程中會產(chǎn)生壞塊。當操作 時序和電路穩(wěn)定性較差時，如果NAND閃存存在壞塊，則可能將造成整個閃存塊或者閃存頁 不能讀取或者全部出錯，則NAND如果操作時序和電路穩(wěn)定性較好，一般存在壞塊的閃存頁 (如512字節(jié))中只有一個或者幾個位的...
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