技術(shù)編號(hào)：6568393
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及用于確定包括針對(duì)半導(dǎo)體器件的器件遷移率的關(guān)鍵 晶體管模型參量的技術(shù)，更特別地涉及用于確定這些參量如何受半 導(dǎo)體器件版圖的影響的技術(shù)，其中所述半導(dǎo)體器件的版圖使用氮化 物襯墊薄膜在晶體管器件溝道中施加應(yīng)力。背景技術(shù)應(yīng)力可以被施加在半導(dǎo)體器件中以增加此類器件中電子或空穴 的遷移率。例如，可以通過使用內(nèi)應(yīng)力薄膜，諸如通常以到場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)的源極和漏極區(qū)域的金屬接觸(MC)端子形式使用 的襯墊薄膜，來將應(yīng)力施加到FET的溝道中。應(yīng)力薄膜通?？梢允?..
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。
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