技術(shù)編號(hào)：6428456
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及，屬于計(jì)算機(jī)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)隨著計(jì)算機(jī)系統(tǒng)并發(fā)處理任務(wù)數(shù)增加，內(nèi)存所要支持的工作集越來越大。另一方面，許多應(yīng)用領(lǐng)域計(jì)算量巨大，也加劇了“存儲(chǔ)墻”問題的凸顯?，F(xiàn)有內(nèi)存主要是由動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)構(gòu)建，隨著系統(tǒng)規(guī)模的增大，功耗和成本上的問題日益嚴(yán)重。研制高速、大存儲(chǔ)容量、低成本和低功耗的新型存儲(chǔ)系統(tǒng)已成為計(jì)算機(jī)系統(tǒng)設(shè)計(jì)的一個(gè)重要挑戰(zhàn)。新興存儲(chǔ)技術(shù)有磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器(Magnetic RAM，以下簡(jiǎn)稱MRAM)、相變內(nèi)存 (PhaseChange...
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