技術(shù)編號:6382104
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及存儲,尤其涉及。背景技術(shù)NAND型閃存可根據(jù)每一存儲單元中可儲存的位數(shù)區(qū)分為SLC (Single-LevelCell,單層單元)NAND型閃存與MLC NAND型閃存。SLC NAND型閃存芯片的每個存儲單??梢杂袃煞N狀態(tài)聞電壓或低電壓,分別表示數(shù)據(jù)O和1,這樣一個存儲單元可以表示一個數(shù)據(jù)bit位。由多個物理存儲單元組成一個物理頁,該物理頁可以表示相同數(shù)量的bit位,即邏輯頁。MLC NAND型閃存芯片的每個存儲單元可以有4種電壓狀態(tài)。MLC根...
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