技術編號：6331423
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及半導體器件模型領域，具體涉及一種金屬-氧化物-半導體場效應晶體管(MOSFET)模型的建立方法。背景技術隨著集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，集成電路的規(guī)模越來越大，復雜程度越來越高。對器件進行建模仿真已經(jīng)成為集成電路設計中越來越重要的一個步驟。其可以大大縮短產(chǎn)品的設計、制造周期，提高效率，節(jié)約成本，提高成品率等。目前，建立MOSFET模型主要采用兩種方法一種是分塊模型(Binning Model)方法，另一種是全局模型(GlcAal Model)方法。分塊模...
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