技術(shù)編號(hào)：6116141
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明是有關(guān)于一種集成電路及金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)元件中判斷漏電流的方法，特別是一種使用掃描式電子顯微鏡來判斷漏電流的方法。背景技術(shù) 掃描式電子顯微鏡(scanning electron microscopy，SEM)或電子探針顯微鏡(electron probe microanalysis，EPMA)為顯微分析技術(shù)，這些技術(shù)用以提供顯影或分析材料的能力，以視覺化技術(shù)分辨細(xì)微的物體。上述技術(shù)的顯微能力可拍攝出即使由光學(xué)顯微鏡的借助亦無法看見的更細(xì)微的物...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。