技術(shù)編號：6098100
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種評價半導(dǎo)體基片晶體的裝置，特別地涉及一種測量硅基片中諸如析出物，層錯之類的晶體缺陷的存在密度和尺寸，以及距晶體表面的深度的測量方法和裝置。背景技術(shù) 隨著LSI(大規(guī)模集成電路)的集成度的提高，出現(xiàn)了因構(gòu)成LSI的MOS(金屬-氧化物半導(dǎo)體)晶體管的缺陷引起的成品率和可靠性降低的嚴(yán)重問題。MOS晶體管的缺陷，主要是由門氧化膜的絕緣破壞和接合處的泄漏電流過大引起的。后者尤其在DRAM(必須有記憶保持動作的動態(tài)隨機(jī)存取存儲器)中存在引起被稱作刷新缺...
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