技術(shù)編號:5963980
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導體制造領域,尤其涉及ー種研磨墊及利用該研磨墊進行研磨時的損耗檢測方法。背景技術(shù)在晶圓制造中,隨著制程技術(shù)的升級、導線與柵極尺寸的縮小,光刻(Lithography)技術(shù)對晶圓表面的平坦程度(Non-uniformity)的要求越來越高,化學機械研磨(Chemical Mechanical Polishing,簡稱CMP)エ藝得到廣泛的應用;CMP是一個通過化學反應過程和機械研磨過程共同作用的エ藝,在研磨過程中,通過研磨頭在晶圓背面施加一定的壓...
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