技術(shù)編號：5961279
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造，尤其涉及。背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體工藝的發(fā)展和器件特征尺寸的縮小，對生產(chǎn)工藝精確度和穩(wěn)定性的要求也愈發(fā)苛刻，甚至是幾個納米的誤差也會造成良率損失，其中尤以多晶硅柵和圓形接觸孔的特征尺寸更為敏感。圓度作為圓形接觸孔工藝標(biāo)準(zhǔn)的技術(shù)參數(shù)之一，其重要性在65納米甚至是45納米以下的工藝中越來越高。 在45納米以下的工藝中，圓形精度缺失可能間接導(dǎo)致半導(dǎo)體器件工作性能偏離正常值，例如漏電等；更嚴(yán)重情況下會導(dǎo)致器件無法工作，例如接觸孔間距太小引起短路。在...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。