技術(shù)編號(hào)：5957175
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及量子電容測試器件，尤其涉及一種。背景技術(shù)由碳原子構(gòu)成的單層片狀結(jié)構(gòu)的二維材料，例如石墨烯，因其超高的本征載流子遷移率、超高的強(qiáng)場漂移速度和極高的電流承載能力，因此可用來制備具有更小尺寸和更快導(dǎo)電速度的新一代半導(dǎo)體器件?，F(xiàn)有的基于石墨稀的量子電容測試器件，包括襯底，襯底上形成有石墨稀、石墨稀作為半導(dǎo)體器件的溝道材料，其上依次形成有源/漏電極、柵介質(zhì)(柵氧化層)和柵電極?？梢?，石墨烯的量子電容Cq和柵氧化層的電容Cox是串聯(lián)結(jié)構(gòu)，其總電容Ctotal...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。