技術(shù)編號(hào)：5956028
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及檢測(cè)硅單晶片表面有機(jī)物方法領(lǐng)域，更具體的說(shuō)，是一種用于檢測(cè)大尺寸硅單晶片拋光處理后表面有機(jī)物的方法。背景技術(shù)近年來(lái)，隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的迅速發(fā)展，硅單晶片尺寸越來(lái)越大，應(yīng)用也越來(lái)越廣泛，然而硅單晶片表面有機(jī)物的污染會(huì)大大降低硅單晶片的性能，影響硅單晶片成品率，因此如何保證大尺寸硅單晶片拋光清洗后滿足要求對(duì)于后序的過(guò)程具有決定性的意義。傳統(tǒng)使用熱解吸氣相色譜法測(cè)定硅單晶片表面有機(jī)物，但這種方法步驟復(fù)雜，耗費(fèi)時(shí)間長(zhǎng)，檢測(cè)精確性不高，并且由于儀器的限制，不...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。