技術(shù)編號(hào)：5948541
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種檢測方法，尤其涉及。背景技術(shù)隨著集成電路工藝的發(fā)展以及按比例尺寸縮小，一些新的材料和工藝都會(huì)被引入到集成電路的工藝中來滿足整體功能的要求。例如前段的金屬硅化物生長工藝方面，為了滿足更小電阻的要求，金屬鎳就被引入作為與接觸孔聯(lián)接的材料。如圖IA至ID所示，是表示金屬鎳硅化物形成的工藝示意圖，由圖IA可見，為器件柵極形成后表面生長氮化物，由圖IB可見，在器件所需要生長金屬硅化物的地方進(jìn)行刻蝕，由圖IC可見，對(duì)器件上表面的鎳金屬的生長，由圖ID可見...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。