技術編號：5913166
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。專利說明 一、本實用新型涉及一種檢查半導體單晶棒上切口(NOCTH)位置的工具，更具體地說是用于檢查硅單晶棒上切口位置的工具。二背景技術半導體硅單晶體的大部分均用切克勞斯基(Czochralski)法制造。在這種方法中，先將多晶硅原料裝進石英坩堝內(nèi)，加熱熔化，然后將熔硅略作降溫，給予一定的過冷度，把一支特定晶向的硅單晶(稱作籽晶)與熔體硅接觸，通過調(diào)整熔體的溫度和籽晶向上提升速度，使籽晶體長大至近目標直徑時，提高提升速度，使硅單晶體近恒徑生長。在生長過程...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。