技術(shù)編號：5905452
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種以硅片上定向生長(100)晶面金剛石薄膜為基體材料制成的微條粒子探測器及其制備方法。背景技術(shù) 半導(dǎo)體探測器是20世紀(jì)60年代以來得到迅速發(fā)展的一種新型核輻射探測元件，它的特點(diǎn)是能量分辨率高，線性響應(yīng)好，脈沖上升時(shí)間短，結(jié)構(gòu)簡單，探測效率高，工作電壓低，操作方便。自1949年美國貝爾電信電話實(shí)驗(yàn)室首次利用鍺半導(dǎo)體探測粒子以后，這種探測器立刻引起世界各國的矚目。70年代起，隨著硅材料的制備工藝和半導(dǎo)體平面工藝的不斷改進(jìn)，使硅探測器得到了很快的發(fā)展...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。