技術(shù)編號：5870929
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明通常涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)，更具體地，是涉及具有嵌入式環(huán)形振蕩器的散射測量法結(jié)構(gòu)及使用該結(jié)構(gòu)的各種方法。背景技術(shù) 半導(dǎo)體工業(yè)中有一個持續(xù)不斷的趨勢就是增加集成電路器件，即微處理器、存儲器件等的操作速度。這個趨勢是因為使用者對以愈來愈快的速度操作的計算機(jī)和電子設(shè)備的要求而激發(fā)出來的。這種對增加速度的要求已經(jīng)導(dǎo)致持續(xù)減少如晶體管等半導(dǎo)體器件的尺寸。也就是說，典型場效應(yīng)晶體管(FET)的許多構(gòu)成要素，如溝道長度、結(jié)深度、柵極絕緣厚度等等均需降低。舉例而言，假設(shè)...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。