技術(shù)編號(hào):5868296
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體材料測(cè)試領(lǐng)域,尤其涉及。背景技術(shù)近年來(lái)隨著硅外延片規(guī)?;a(chǎn)的不斷擴(kuò)大,作為外延片電阻率測(cè)試的經(jīng)典測(cè)試 方法的電容-電壓(CV)測(cè)試法擔(dān)當(dāng)著一個(gè)非常重要的角色。CV法是一種通過(guò)提供掃描電 壓獲取電容參數(shù)的測(cè)量模式,然后采用特定的公式轉(zhuǎn)換方法將電容參數(shù)轉(zhuǎn)換成被測(cè)樣品電 阻率數(shù)據(jù)的測(cè)試方法。測(cè)試片的預(yù)處理是CV測(cè)試中必不可少的一個(gè)步驟?,F(xiàn)有技術(shù)中對(duì) 測(cè)試片的處理方法是采用“氫氟酸-雙氧水”聯(lián)合處理的方法對(duì)硅片進(jìn)行預(yù)處理,以在待測(cè) 硅片的表面形成...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。