技術(shù)編號：5392657
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。形成多晶元件的方法包括在第一基底上形成多晶層。可從多晶層的至少一部分中去除掉催化劑材料。可從第一基底的其余部分上去除掉多晶層和第一基底的附連到多晶層上的部分。第一基底的該部分可附連到另一基底上。多晶元件包括多晶層，其附連到第一基底的部分上，多晶層形成在該部分上；以及，另一基底，其附連到第一基底的所述部分上。專利說明形成多晶元件的方法以及通過該方法形成的結(jié)構(gòu)[0001]優(yōu)先權(quán)請求[0002]本申請請求享有美國專利申請序列13/040，947號的申請日的權(quán)益，...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。