技術(shù)編號：5270608
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明公開了一種芯片上的大傾角氧化硅微盤諧振腔，包括氧化硅微盤和硅柱，氧化硅微盤通過硅柱支撐在基片上，氧化硅微盤的側(cè)面為斜面，斜面與氧化硅微盤底面的夾角為45o~90o。本發(fā)明的芯片上的氧化硅微盤諧振腔側(cè)壁傾角大，易于實現(xiàn)耦合。本發(fā)明還公開了芯片上的大傾角氧化硅微盤諧振腔的制備方法，利用本方法制備出的片上氧化硅微盤諧振腔品質(zhì)因子高，且側(cè)壁傾角大，易于實現(xiàn)耦合；制備流程與傳統(tǒng)的集成電路工藝相兼容，具有操作簡單、可重復性強和易于集成等優(yōu)點。專利說明[0001]...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。