技術編號：5268975
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明屬于半導體材料和納米，具體涉及一種氧化鎵異質結結構及其生長方法，特別是涉及一種β-Ga2O3和k-Ga2O3形成的具有偽四次對稱的納米尺度氧化鎵異質結結構的方法和專用裝置。該氧化鎵異質結包括β-Ga2O3納米線狀主干和其表面上的k-Ga2O3納米柱，其中β-Ga2O3納米線長度為5～100μm長，直徑在50～1000nm；k-Ga2O3納米柱尺寸在50～200nm，在β-Ga2O3納米線表面呈現(xiàn)偽四次對稱分布。本發(fā)明所采用的方法是在化學氣相沉積過程中...
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