技術編號：5266222
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明屬于半導體及光學材料制備，特別涉及。背景技術 ZnO半導體的禁帶寬度為3. 37eV，激光束能夠達到60eV，具有優(yōu)異的壓電和光電性能。近年來ZnO半導體被用作第三代半導體以及新一代光學材料的研究引起了人們的廣泛關注，納米氧化鋅作為納米材料和重要半導體氧化物的完美結合，顆粒的細微化及比表面積急劇增加使得納米ZnO具有了其塊狀材料所不具備的新的性質。因此，納米ZnO在磁、光、電等領域具有一般ZnO材料無法匹敵的特殊功能和新的用途。它是21世紀世界各國投...
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