技術(shù)編號(hào)：5265085
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件的領(lǐng)域，并且具體地涉及半導(dǎo)體制造和具有半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件。背景技術(shù)當(dāng)今在日常生活中對(duì)半導(dǎo)體器件的使用越來越多。通常，這樣的半導(dǎo)體器件是通過制造過程中的許多步驟來制造的，其中包括結(jié)構(gòu)化掩模、沉積半導(dǎo)體或非半導(dǎo)體層、蝕刻這些層等等。例如在集成加速度傳感器器件的領(lǐng)域中，為了獲得可移動(dòng)的元件，通常應(yīng)用過程步驟序列，其包括在硅襯底的頂部上沉積并結(jié)構(gòu)化氧化物層。在所結(jié)構(gòu)化的氧化物層的頂部上，沉積Poly-Si (多晶硅)層。在結(jié)構(gòu)化所述多晶硅層...
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