技術(shù)編號：5033748
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種氧化鋅納米線陣列的制備方法，特別是一種。背景技術(shù)隨著全球性環(huán)境污染問題日益嚴重和納米制備技術(shù)的高速發(fā)展，納米材料的光催化降解有機污染物的研究成為材料科學、催化科學以及環(huán)境科學等研究領(lǐng)域的熱點之一。ZnO是一種新型寬帶隙II-IV族半導體材料，帶隙能為3. 37 eV，具有價格低廉、無毒、穩(wěn)定等優(yōu)點，同時在光催化過程中光生電子和空穴復合程度較小，可在紫外光激發(fā)條件下發(fā)生光催化反應(yīng)而催化降解有毒有機污染物，因此被認為是極具應(yīng)用前景的高活性光催化劑...
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