技術(shù)編號(hào):4337746
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明一般涉及半導(dǎo)體制造加工系統(tǒng),尤其是在單個(gè)晶片(single)反應(yīng)器中加工半導(dǎo)體晶片的提高生產(chǎn)能力的方法和設(shè)備。背景技術(shù)在通過(guò)淀積薄膜材料制造半導(dǎo)體材料和器件結(jié)構(gòu)時(shí),現(xiàn)有技術(shù)使用各種淀積系統(tǒng)。這些淀積系統(tǒng)包括反應(yīng)室,在反應(yīng)室內(nèi)在有氣相源材料的情況下把所晶片基片加熱到高溫,以在晶片表面上淀積所要求的薄膜。硅外延膜典型地在兩種通用類型的反應(yīng)器中淀積。老式的是批量反應(yīng)器,這種反應(yīng)器一次裝入許多晶片。受提高生產(chǎn)能力的愿望所推動(dòng),批量反應(yīng)器在體積上不斷地增長(zhǎng)?,F(xiàn)...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。