技術(shù)編號(hào):40818469
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體加工,尤其涉及一種拋光墊修整器、拋光墊及硅片。背景技術(shù)、化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)(chemical?mechanical?polishing,cmp)屬于化學(xué)作用和機(jī)械作用相結(jié)合的技術(shù),其是半導(dǎo)體制程中獲得全局平坦化的一種手段。cmp處理過(guò)程中,首先待加工硅片表面材料與拋光液中的氧化劑、催化劑等發(fā)生化學(xué)反應(yīng),生成一層相對(duì)容易去除的軟質(zhì)層。然后在拋光液中的磨料和拋光墊的機(jī)械作用下去除軟質(zhì)層,使待加工硅片表面重新裸露出來(lái)。然后再進(jìn)行化學(xué)反應(yīng),這樣在化學(xué)作用過(guò)程和機(jī)械作用過(guò)程的交替進(jìn)行中完成...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。