技術(shù)編號：40818322
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明屬于半導(dǎo)體，具體涉及一種algan蝕刻速率的確定方法。背景技術(shù)、降低歐姆接觸可以提高gan器件的膝點電壓，提升射頻器件的增益。在氮化鎵器件中，一般可通過蝕刻歐姆區(qū)域的algan層從而減小歐姆接觸電阻，在蝕刻algan的過程中，不能完全蝕刻algan層，不然會對二維電子氣產(chǎn)生影響，一般需要保留幾個納米的algan勢壘層。、另外，為了實現(xiàn)氮化鎵增強型器件，常常在柵極進行algan蝕刻，在algan蝕刻后，也需要保留幾個nm的algan勢壘層，從而實現(xiàn)增強型器件。、無論是歐姆區(qū)還是柵極區(qū)域...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。