技術(shù)編號：40656006
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本申請涉及半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域，尤其涉及一種堆疊封裝結(jié)構(gòu)及其形成方法。背景技術(shù)、hbm(high?bandwidth?memory，高帶寬存儲器)是一款新型的cpu/gpu內(nèi)存芯片(即“ram")，其實(shí)就是將很多個ddr芯片堆疊在一起后和gpu封裝在一起，實(shí)現(xiàn)大容量、高位寬的ddr組合陣列。、現(xiàn)有d?hbm(dhighbandwidthmemory)封裝結(jié)構(gòu)是將多個存儲芯片(比如dram)通過先進(jìn)封裝技術(shù)(如tsv硅通孔技術(shù)、微凸塊技術(shù))進(jìn)行垂直堆疊來提升存儲容量，再基于中介板(interpo...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。