技術(shù)編號：40653929
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導體，尤其涉及一種缺陷檢測方法。背景技術(shù)、靜態(tài)隨機存儲器(sram)電路結(jié)構(gòu)由存儲陣列和外圍電路組成，其中存儲陣列由重復的存儲單元(bitcell)按行和列排列組成。靜態(tài)隨機存儲器的制造過程是需要持續(xù)關(guān)注的問題，通常通過測試靜態(tài)隨機存儲器(sram)的良率以及性能的變化來反饋制程的問題所在，再針對所反饋的問題對制程進行改進，提升生產(chǎn)良率。、因此，需要一種快速高效的失效分析方法，以便能夠快速定位制程中的問題所在，完善制程過程，提升良率。技術(shù)實現(xiàn)思路、本發(fā)明解決的技術(shù)問題是提供一種...
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