技術(shù)編號：40630119
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及存儲，具體而言，涉及一種存儲空間分配方法、裝置及固態(tài)硬盤。背景技術(shù)、nand?flash是一種閃存，即一種非易失型存儲器，其是ssd(solid?state?drives，固態(tài)硬盤)的重要組成部分。閃存的基本存儲單元(cell)是浮柵晶體管，其在源極和漏極之間電流單向傳導(dǎo)的半導(dǎo)體上形成存儲電子的浮柵，浮柵上下被絕緣層包圍，電子存儲在該絕緣層中。、slc(single-level?cell，單層單元)是指一個存儲單元中存儲bit的信息，即只有和這兩種電壓變化。tlc(trina...
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