技術(shù)編號(hào)：40614337
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。背景技術(shù)、在現(xiàn)代集成電路制造中電化學(xué)沉積工藝是完善的。在二十一世紀(jì)早期從鋁到銅金屬線互連的轉(zhuǎn)變驅(qū)動(dòng)對(duì)于日益復(fù)雜的電鍍處理和電鍍工具的需求。大多復(fù)雜工藝響應(yīng)于在設(shè)備金屬化層中更小的載流線的需要而演變。這些銅線以通常稱為“鑲嵌”的處理的方法(預(yù)鈍化金屬化)通過電鍍金屬到非常窄的、高深寬比的溝槽和通孔中形成。、電化學(xué)沉積現(xiàn)在用于復(fù)雜的封裝和多芯片互連技術(shù)，所述復(fù)雜的封裝和多芯片互連技術(shù)通常并通俗地稱為晶片級(jí)封裝(wlp)以及穿硅通孔(tsv)電氣連接技術(shù)。部分由于通常較大的特征尺寸(相比于前端制程...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。