技術(shù)編號(hào)：40602070
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本公開整體涉及半導(dǎo)體器件領(lǐng)域，并且具體地涉及一種包含虛置存儲(chǔ)器開口監(jiān)測(cè)區(qū)域的三維存儲(chǔ)器器件及其制造方法。背景技術(shù)、在三維存儲(chǔ)器器件中，存儲(chǔ)器開口穿過絕緣層和犧牲材料層的交替堆疊而形成，并且存儲(chǔ)器開口填充結(jié)構(gòu)形成在存儲(chǔ)器開口中。存儲(chǔ)器開口填充結(jié)構(gòu)包括存儲(chǔ)器膜和豎直半導(dǎo)體溝道。技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路、根據(jù)本公開的一個(gè)方面，一種形成三維半導(dǎo)體器件的方法包括：在襯底上方形成絕緣層和間隔物材料層的交替堆疊，其中間隔物材料層形成為導(dǎo)電層，或形成為犧牲材料層，該犧牲材料層具有位于存儲(chǔ)器陣列區(qū)中和接觸區(qū)中的隨后被導(dǎo)電...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路，無完整電路圖，適合研究學(xué)習(xí)。