技術(shù)編號(hào)：40590950
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)中的微機(jī)電系統(tǒng)(mems)設(shè)計(jì)制造，特別涉及一種帶有懸浮驗(yàn)證結(jié)構(gòu)的紅外焦平面探測(cè)器芯片結(jié)構(gòu)及制備方法。背景技術(shù)、基于cmos工藝實(shí)現(xiàn)的mems非制冷紅外探測(cè)器已在軍事和商用領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用，如夜視、探礦、自動(dòng)駕駛、火災(zāi)防控等。該探測(cè)器芯片主要包括兩部分，一是具有較高響應(yīng)率的mems芯片，二是與mems芯片直接相連的roic芯片。非制冷紅外探測(cè)器工作原理為外界紅外輻射照射到芯片熱敏層導(dǎo)致熱敏層溫升，由于熱敏材料本身具有一定的電阻溫度系數(shù)，溫升導(dǎo)致熱敏材料的電阻變化，利用roi...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。