技術(shù)編號：40577944
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本申請涉及等離子產(chǎn)成設(shè)備，具體而言，涉及一種遠(yuǎn)程等離子源腔體。背景技術(shù)、遠(yuǎn)程等離子源腔體是用于產(chǎn)生等離子體的重要裝置，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體制造、顯示面板生產(chǎn)等領(lǐng)域的腔室清洗、表面改性、薄膜刻蝕和等離子輔助沉積等工藝環(huán)節(jié)?，F(xiàn)有的遠(yuǎn)程等離子源腔體通常采用交變磁場離化含氟化合物來生成活性氟離子氣體。其基本結(jié)構(gòu)包括環(huán)形真空腔、進(jìn)氣口、出氣口、磁芯組件和點火線圈。、環(huán)形真空腔的內(nèi)壁面上通常設(shè)置有氧化保護(hù)膜，磁芯組件纏繞在環(huán)形真空腔外部。進(jìn)氣口和出氣口與環(huán)形真空腔相連，點火線圈設(shè)置在進(jìn)氣口處。工作時，進(jìn)氣口...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路，無完整電路圖，適合研究學(xué)習(xí)。