技術編號：40571139
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本公開整體涉及半導體器件領域，并且具體地涉及包括橫向間隔開的源極線的三維存儲器器件及其制造方法。背景技術、每個單元具有一個位的三維豎直nand串在t.endoh等人的名稱為“具有堆疊的包圍柵極晶體管(s-sgt)結構化單元的新型超高密度存儲器(novel?ultra?high?densitymemory?with?a?stacked-surrounding?gate?transistor(s-sgt)structured?cell)”，iedm?proc.()-的文章中公開。技...
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