技術(shù)編號：40562709
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件，尤其涉及一種功率器件及其制備方法。背景技術(shù)、功率器件一般是由多個元胞并聯(lián)而成，例如，絕緣柵雙極型晶體管(igbt)和縱向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(vdmos)等功率器件都是由成千上萬的元胞并聯(lián)而成，元胞表面的電位基本相同，因此，元胞之間不存在擊穿問題，但功率器件外圍的元胞和襯底之間存在高電壓，例如，導(dǎo)電類型不同的主結(jié)與外延層之間形成電場，容易擊穿功率器件，為了保障功率器件的擊穿特性和可靠性，需在功率器件中設(shè)置終端結(jié)構(gòu)，包括但不限于場限環(huán)(flr)、金屬場板(fp...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。