技術(shù)編號：40557779
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于半導(dǎo)體晶體，具體涉及一種泡生法生長氧化鎵單晶的方法。背景技術(shù)、氧化鎵單晶擁有.ev的禁帶寬度和以上的baliga優(yōu)值，被譽(yù)為最先可實現(xiàn)應(yīng)用的超寬禁帶半導(dǎo)體晶體。氧化鎵單晶的生長方法多種多樣，其中導(dǎo)模法被認(rèn)證為主流生長方法，但是導(dǎo)模法生長晶體形狀為板狀，制備襯底的數(shù)量受限，并且該方法使用的銥金屬價格昂貴且銥量較大，阻礙了氧化鎵單晶的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。本專利采用的泡生法可以生長柱狀的氧化鎵單晶，可以獲得大尺寸的晶面的襯底，彌補(bǔ)了導(dǎo)模法不能獲得大尺寸（）晶面氧化鎵襯底的缺點。...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。