技術(shù)編號(hào):40539853
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明主要涉及半導(dǎo)體晶圓檢測(cè),尤其是一種基于光譜成像的晶圓光致發(fā)光檢測(cè)裝置和方法。背景技術(shù)、隨著mini?led、micro?led逐漸成為新型顯示器件的主流發(fā)展方向,led發(fā)光芯片尺寸從毫米量級(jí)縮小到微米量級(jí),其微小電極難以接觸、待測(cè)數(shù)量十分龐大,傳統(tǒng)接觸式發(fā)光特性檢測(cè)手段必然被非接觸光致發(fā)光測(cè)量方案所取代。、當(dāng)led受到光照射時(shí),若光子的能量比禁帶寬度更大,低能態(tài)的電子在吸收了光子的能量之后就會(huì)發(fā)生躍遷進(jìn)入激發(fā)態(tài)。處于激發(fā)態(tài)的電子狀態(tài)不穩(wěn)定,會(huì)再次回到低能態(tài)并發(fā)出光子,這就是led的光致...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。