技術(shù)編號：40539395
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明實施例涉及半導體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種半導體結(jié)構(gòu)及其形成方法。背景技術(shù)、隨著半導體制造技術(shù)的飛速發(fā)展，半導體器件朝著更高的元件密度、更高集成度的方向發(fā)展，半導體工藝節(jié)點遵循摩爾定律的發(fā)展不斷減小。晶體管尺寸越來越小，鰭式場效應(yīng)三極管(field-effect?transistor，finfet)應(yīng)運而生。但是要保持原有的驅(qū)動電流性能，這種結(jié)構(gòu)不再適用于較小的節(jié)點。于是出現(xiàn)了全包圍柵極晶體管(gate-all-around，gaafet)，它對短溝道效應(yīng)的控制和優(yōu)越的電學性能，使其在更小的...
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