技術編號：40539227
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及半導體，具體涉及一種化學氣相沉積設備、加熱盤及形成涂層的方法。背景技術、化學氣相沉積(chemical?vapor?deposition，簡稱cvd)設備在進行沉積反應時往往需要對晶圓或腔室加熱或維持沉積反應所需要的溫度，所以通常cvd設備都配備有加熱晶圓的加熱盤。、在現有技術中，由于鋁合金具有熱導效率高、成本低等優(yōu)勢，因此常被用作cvd設備中加熱盤的制造材料。然而在化學氣相沉積工藝中，當鋁合金加熱盤暴露在含氟等離子體環(huán)境時，加熱盤表面易逐漸被氟化而形成氟化鋁層。目前設備需要數十小...
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