技術(shù)編號(hào):40530902
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及磁屏蔽,尤其是涉及一種磁屏蔽室中磁場(chǎng)梯度抑制方法。背景技術(shù)、利用被動(dòng)磁屏蔽技術(shù)可以在磁屏蔽室內(nèi)部得到極低的剩余磁場(chǎng),但在磁屏蔽室內(nèi)部不同的空間位置,磁場(chǎng)屏蔽性能不同;靠近磁屏蔽室位置的剩余磁場(chǎng)較大,而中心位置磁場(chǎng)較小,其中磁場(chǎng)的變化導(dǎo)致在各個(gè)方向出現(xiàn)了梯度磁場(chǎng)。梯度磁場(chǎng)對(duì)許多精密物理實(shí)驗(yàn),如電子電偶極矩測(cè)量、心磁、腦磁信號(hào)測(cè)量等會(huì)造成較大的誤差。因此對(duì)磁屏蔽室內(nèi)的梯度磁場(chǎng)進(jìn)行抑制,能為各類(lèi)前沿科學(xué)實(shí)驗(yàn)提供更均勻的零磁環(huán)境,減小由于梯度磁場(chǎng)而帶來(lái)的誤差是磁屏蔽研究的重點(diǎn)。年,c...
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該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。
該類(lèi)技術(shù)注重原理思路,無(wú)完整電路圖,適合研究學(xué)習(xí)。