技術(shù)編號(hào)：40530692
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及micro-led領(lǐng)域，具體涉及垂直結(jié)構(gòu)micro-led器件gan分段式深刻蝕像素陣列的方法。背景技術(shù)、micro-led器件主要基于第三代半導(dǎo)體材料gan制備而成，其具備發(fā)光效率好、亮度高、響應(yīng)時(shí)間快和可靠性高等優(yōu)良特性。目前，micro-led器件顯示技術(shù)主流技術(shù)是通過倒焊技術(shù)將ic驅(qū)動(dòng)電路與gan外延片倒焊起來，然而由于micro-led器件器件像素尺寸小于.μm，對(duì)于倒焊機(jī)精度面臨著巨大的挑戰(zhàn)。對(duì)于像素尺寸小于μm的micro-led器件，可以考慮采用垂直結(jié)構(gòu)的mic...
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