技術(shù)編號(hào)：40528063
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本公開涉及半導(dǎo)體，尤其涉及一種半導(dǎo)體器件及其制備方法、芯片、電子設(shè)備。背景技術(shù)、氮化鎵半導(dǎo)體材料被稱為第三代半導(dǎo)體材料，相比于以硅為代表的第一代半導(dǎo)體材料具有更高的禁帶寬度、臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)、電子飽和漂移速度，在高頻、高耐壓、高功率、低導(dǎo)通電阻等方面具有顯著優(yōu)勢(shì)，可用作各類電力轉(zhuǎn)化系統(tǒng)中的核心器件，在消費(fèi)電子、g射頻、服務(wù)器和電信應(yīng)用等領(lǐng)域具有廣闊的前景。技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路、本公開的實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體器件及其制備方法、芯片、電子設(shè)備，旨在提高半導(dǎo)體器件的閾值電壓的同時(shí)，提升半導(dǎo)體器件的可靠性。、...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。