技術編號：40467035
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種碲鋅鎘晶體的生長方法及裝置。背景技術、技術背景、碲鋅鎘材料是一種重要的半導體材料，它既可用做碲鎘汞外延材料的襯底，制備和生產高性能的紅外焦平面探測器，也可直接用于制備和生產感應γ射線的高能射線探測器。當前，這兩類探測器已經在航天遙感、醫(yī)療設備、安檢和軍事裝備中具有廣泛的應用。和廣泛應用的si材料和gaas材料相比，碲鋅鎘材料的缺陷形成能非常低，熱導率又非常低，生長出的碲鋅鎘晶錠非常容易產生多晶和孿晶。、在現(xiàn)有技術當中，有三種主流的生長碲鋅鎘單晶的方法，即垂直布里奇曼法(vb)...
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