技術編號：40438614
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及片上集成激光光源，尤其涉及一種用于片上集成的金屬限制f-p腔激光器。背景技術、半導體激光器作為所有類型激光器中體積最小、能效最高的激光器，在光子集成芯片、片上光互連、光通信、醫(yī)療、生物傳感等領域有著非常巨大的應用前景。自年美國科學家成功研制的第一代半導體—gaas同質結注入型半導體激光器，首次將激光器從米縮小至毫米級以來，垂直腔面發(fā)射激光器(vcsels)、基于回音壁模式的微柱、微盤、微球激光器、光子晶體激光器以及半導體納米線或納米棒激光器等的陸續(xù)出現(xiàn)，逐步將半導體激光器的體...
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