技術(shù)編號(hào)：3817031
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種化學(xué)機(jī)械拋光液。 背景技術(shù)在集成電路的制造過(guò)程中，硅晶圓基片上往往構(gòu)建了成千上萬(wàn)的結(jié)構(gòu)單元，這些 結(jié)構(gòu)單元通過(guò)多層金屬互連進(jìn)一步形成功能性電路和元器件。在多層金屬互連結(jié)構(gòu)中，金 屬導(dǎo)線之間填充二氧化硅或摻雜其他元素的二氧化硅作為層間介電質(zhì)(ILD)。隨著集成電 路金屬互連技術(shù)的發(fā)展和布線層數(shù)的增加，化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)已經(jīng)廣泛應(yīng)用于芯片制造 過(guò)程中的表面平坦化。這些平坦化的芯片表面有助于多層集成電路的生產(chǎn)，且防止將電介 層涂覆在不平表面上引...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。