技術(shù)編號：3816827
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種由疏水性的CdSeS量子點經(jīng)硅包層制備成含羧基的親水性CdSeS 量子點的制備方法。背景技術(shù)量子點(quantum dots, QDs)又稱半導(dǎo)體納米微晶(semiconductor nanocrystal)，是一種由II-VI族或III-V族元素組成的納米微晶。量子點的超微尺寸導(dǎo) 致了一種量子尺度效應(yīng)，賦予了其獨特的電子學和光學性質(zhì)。量子點在光的激發(fā)下，可發(fā)射 比傳統(tǒng)熒光物質(zhì)更加優(yōu)越的熒光，其光學性質(zhì)使量子點具有及廣泛的應(yīng)用。量子點由于其 ...
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