技術(shù)編號(hào)：3726391
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于電子器件平坦化加工領(lǐng)域，涉及一種半導(dǎo)體器件加工過程中多層絕緣膜和金屬層的平坦化加工用的二氧化硅(SiO2)拋光料漿及其制備方法。隨著信息產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展，電子器件的集成化程度越來越高，多層布線技術(shù)則成為不可缺少的一項(xiàng)技術(shù)。在電子器件縮小的同時(shí)，器件表面的形狀也復(fù)雜化了，為了提高多層布線的可靠性，獲得較高的合格率，器件表面的平坦化加工就顯得十分重要。為此，眾多的科技人員研究開發(fā)了各自的平坦化加工技術(shù)，最為成功的是1992年6月由IBM和Microte...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。