技術(shù)編號：3655942
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及。 背景技術(shù)目前使用的封裝材料，絕大部分線膨脹系數(shù)偏大，封裝材料的線膨脹系數(shù)與所封裝的對象熱膨脹系數(shù)不匹配，往往造成封裝成型后，器件與封裝材料之間存在熱應力，造成強度下降、耐熱沖擊性降低、封裝裂紋、空洞、鈍化和離層等各種缺陷。解決這類缺陷最根本的措施就是開發(fā)具有低膨脹系數(shù)、性能優(yōu)良的封裝材料。降低封裝材料的線膨脹系數(shù)一般可選擇在基體材料中添加低膨脹系數(shù)的材料進行復合，可選擇的添加材料有粉體、纖維等。 如在環(huán)氧樹脂基體中添加Si02、AIN、SiC...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。