技術(shù)編號:3623686
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及。背景技術(shù)作為利用光刻工藝的半導(dǎo)體微制造,已經(jīng)深入研究了使用ArF準分子激光器(波長193nm)作為曝光系統(tǒng)的光刻工藝。用于這種光刻工藝的光致抗蝕劑組合物通常包含酸生成劑和樹脂,所述樹脂的關(guān)于堿性水溶液的溶解性由于酸的作用而不同。US2007/122750公開了一種光致抗蝕劑組合物,其包含具有由下式表示的結(jié)構(gòu)單元的樹脂權(quán)利要求1.一種由式(I)表示的化合物2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的化合物,其中T1表示單鍵。3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的化合物,其中m表示...
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