技術編號：3593328
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及包含全氟炔烴的等離子體反應用氣體，其制備方法及其應用。本發(fā)明的等離子體反應用氣體可用于半導體裝置制造等工藝中的干式蝕刻、通過CVD法進行的成膜、灰化(ashing)等。背景技術 近年來，如同VLSI(超大規(guī)模集成電路)、ULSI(超超大規(guī)模集成電路)等那樣，半導體裝置的高集成化和高性能化不斷發(fā)展，隨之對這些裝置的制造工藝中所用的等離子體反應用氣體的技術要求越來越嚴格。作為這樣的等離子體反應用氣體，到目前為止主要使用四氟化碳、全氟環(huán)丁烷等飽和的碳氟...
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