技術(shù)編號：3473259
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種。本發(fā)明的目的在于提供通過更為簡單的步驟抑制了反應(yīng)體系的溫度上升的。本發(fā)明的制造方法中，在氯化氫氣體的存在下對氫氣及氯氣照射光，使氫氣及氯氣反應(yīng)，從而生成氯化氫氣體。專利說明[0001]本發(fā)明涉及使氫氣與氯氣反應(yīng)來制造氯化氫的。背景技術(shù)[0002]氯化氫被用于硅半導體的干式刻蝕用刻蝕氣體、硅晶片的成長爐的清潔用途中。而且，近年來也被用于碳化硅用途中，特別是在半導體領(lǐng)域中的利用有所拓寬。在半導體領(lǐng)域中，由于雜質(zhì)的混入會大大降低合格率，因此在各工...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。